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老化機理：

曾經被認為是老化的起因的有電子陷阱，偶極子轉向，氧脫附和離子遷移，目前能證實的只有填隙鋅離子遷移。一般認為老化是晶界現象，是由于耗盡層內離子遷移，而Zni是主要的遷移離子。

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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時大得多。

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